[{"@context":"http:\/\/schema.org\/","@type":"BlogPosting","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/bandlucke-wikipedia\/#BlogPosting","mainEntityOfPage":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/bandlucke-wikipedia\/","headline":"Bandl\u00fccke – wikipedia","name":"Bandl\u00fccke – wikipedia","description":"before-content-x4 Quand Espace de ruban ( Anglais bande interdite ), aussi Bandabstand ou. zone interdite , est la distance \u00e9nergique","datePublished":"2018-01-07","dateModified":"2018-01-07","author":{"@type":"Person","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/author\/lordneo\/#Person","name":"lordneo","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/author\/lordneo\/","image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","url":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","height":96,"width":96}},"publisher":{"@type":"Organization","name":"Enzyklop\u00e4die","logo":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","width":600,"height":60}},"image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/wikimedia.org\/api\/rest_v1\/media\/math\/render\/svg\/74b041d193c6b8de0113f5a5e8d8e00d05afa339","url":"https:\/\/wikimedia.org\/api\/rest_v1\/media\/math\/render\/svg\/74b041d193c6b8de0113f5a5e8d8e00d05afa339","height":"","width":""},"url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/bandlucke-wikipedia\/","wordCount":6195,"articleBody":"     (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});before-content-x4Quand Espace de ruban ( Anglais  bande interdite ), aussi Bandabstand ou. zone interdite , est la distance \u00e9nergique entre la bande de valence et la bande de c\u00e2ble d’un solide. Ses propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques et optiques sont consid\u00e9rablement d\u00e9termin\u00e9es par la taille de la bande interdite. La taille de la bande interdite est g\u00e9n\u00e9ralement donn\u00e9e dans l’\u00e9lectron volt (eV). Gaps de bande dans les mat\u00e9riaux s\u00e9lectionn\u00e9s Mat\u00e9riel Art \u00c9nergie dans ev 0 k 300 K \u00e9l\u00e9ments C (comme un diamant) indirectement 5.4 5.46\u20135.6 [d’abord] Et indirectement 1.17 1.12 Ge indirectement 0,75 0,67 Avec Imm\u00e9diatement  1.74 Connexions IV-IV Sic 3c indirectement  2.36 Sic 4h indirectement  3.28 Sic 6h indirectement  3.03 Connexions III-V Inp Imm\u00e9diatement 1.42 1.27 Inas Imm\u00e9diatement 0,43 0,355 En particulier Imm\u00e9diatement 0,23 0,17 \u00c0 l’int\u00e9rieur Imm\u00e9diatement  0.7 Dans X Pour 1 fois N Imm\u00e9diatement  0,7\u20133,37 Les deux Imm\u00e9diatement  3.37 GAP 3C indirectement  2.26 Gasb Imm\u00e9diatement 0,81 0,69 Gaz Imm\u00e9diatement 1.52 1.42 Al X Pour 1 fois Comme x  0,4 \u200b\u200bindirect  1,42\u20132,16 H\u00e9las indirectement  2.16 ALSB indirectement 1.65 1.58 Aln Imm\u00e9diatement  6.2 BN   5.8 Compos\u00e9s II-VI Ce 2  3.03 3.2 ZnO Imm\u00e9diatement 3 436 3.37 Zn   3.56 Znse Imm\u00e9diatement  2.70 CDS   2.42 Cdse   1.74 Cdte   1.45        (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4Selon le mod\u00e8le ligament, les conditions li\u00e9es des \u00e9lectrons ne sont approuv\u00e9es qu’\u00e0 certains intervalles de l’\u00e9chelle \u00e9nerg\u00e9tique Cassettes . Entre les ligaments (mais ne sont pas n\u00e9cessaires) sont des zones \u00e9nergiquement interdites. Chacune de ces zones repr\u00e9sente un \u00e9cart entre les rubans, mais pour les propri\u00e9t\u00e9s physiques d’un solide n’est que l’\u00e9cart possible entre la bande la plus \u00e9lev\u00e9e qui est encore compl\u00e8tement occup\u00e9e avec des \u00e9lectrons (Valenzband, VBM) et la prochaine bande sup\u00e9rieure (bande de c\u00e2ble, CBM). Par cons\u00e9quent avec le La bande interdite signifie toujours qu’entre Valenz et B sont. La survenue d’une bande interdite dans certains mat\u00e9riaux peut \u00eatre comprise m\u00e9caniquement par le comportement des \u00e9lectrons dans le potentiel p\u00e9riodique d’une structure cristalline. Ce Mod\u00e8le des \u00e9lectrons sans quasi Fournit la base th\u00e9orique du mod\u00e8le ligamentaire. Si la bande de valence chevauche la bande de ligne, aucune bande interdite ne se produit. Si le ruban de valence n’est pas enti\u00e8rement occup\u00e9 par les \u00e9lectrons, la zone sup\u00e9rieure non remplie de la zone reprend la fonction de la bande de ligne, il n’y a donc pas non plus de bande interdite. Dans ces cas, les applications \u00e9nerg\u00e9tiques infinit\u00e9simales sont suffisantes pour stimuler un \u00e9lectron.        (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4Table of ContentsConductivit\u00e9 \u00e9lectrique [ Modifier | Modifier le texte source ]] Propri\u00e9t\u00e9s optiques [ Modifier | Modifier le texte source ]] Bande interdite directe [ Modifier | Modifier le texte source ]] Bande interdite indirecte [ Modifier | Modifier le texte source ]] Conductivit\u00e9 \u00e9lectrique [ Modifier | Modifier le texte source ]] Seuls les \u00e9lectrons anim\u00e9s dans la bande de ligne peuvent se d\u00e9placer pratiquement librement \u00e0 travers un solide et contribuer \u00e0 la conductivit\u00e9 \u00e9lectrique. \u00c0 des temp\u00e9ratures finies, la stimulation thermique comprend toujours certains \u00e9lectrons dans la bande de ligne, mais leur nombre varie consid\u00e9rablement avec la taille de la bande interdite. La classification selon les \u00e9chelles, les semi-conducteurs et les isolateurs est donc bas\u00e9e sur cela. Les limites exactes sont hors focus, mais on peut utiliser les valeurs limites suivantes en r\u00e8gle g\u00e9n\u00e9rale: Les t\u00eates n’ont pas de bande interdite. Les gestionnaires de halver ont une bande interdite dans la plage de 0,1 \u00e0 \u2248 4 eV. [2] Les non-managers ont une bande interdite sup\u00e9rieure \u00e0 4 eV. [2] Propri\u00e9t\u00e9s optiques [ Modifier | Modifier le texte source ]] La capacit\u00e9 d’un corps solide pour l’absorption de la lumi\u00e8re est li\u00e9e \u00e0 la condition pour absorber l’\u00e9nergie des photons \u00e0 l’aide d’\u00e9lectrons. \u00c9tant donn\u00e9 qu’aucun \u00e9lectrons ne peut \u00eatre stimul\u00e9 dans la zone interdite entre la valence et la bande de c\u00e2ble, l’\u00e9nergie doit ET p {displayStyle e_ {p}} d’un photon l’\u00e9nergie        (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4ET g {displayStyle e_ {g}} d\u00e9passer la bande interdite E_{g},”>Sinon, le photon ne peut pas \u00eatre absorb\u00e9. L’\u00e9nergie d’un photon est \u00e0 la fr\u00e9quence n {displayStyle pas} (NY) du rayonnement \u00e9lectromagn\u00e9tique coupl\u00e9 via la formule Ep=h\u03bdM des sommets Avec le quantum de Planck H . {displayStyle h.}  Si un corps solide a une bande interdite, il est donc transparent pour le rayonnement en dessous d’une certaine fr\u00e9quence \/ au-dessus d’une certaine longueur d’onde (en g\u00e9n\u00e9ral, cette d\u00e9claration n’est pas enti\u00e8rement correcte car il existe d’autres moyens d’absorber l’\u00e9nergie des photons). Les r\u00e8gles suivantes peuvent \u00eatre d\u00e9riv\u00e9es en particulier pour la perm\u00e9abilit\u00e9 de la lumi\u00e8re visible (\u00e9nergies de photons autour de 2 eV): Les m\u00e9taux peuvent pas \u00eatre transparent. Les solides transparents sont principalement des isolateurs. Cependant, il existe \u00e9galement des mat\u00e9riaux \u00e9lectriquement conducteurs avec un niveau de transmission relativement \u00e9lev\u00e9, par ex. B. Oxyde transparent et \u00e9lectriquement conducteur. \u00c9tant donn\u00e9 que l’absorption d’un photon est connect\u00e9e \u00e0 la stimulation d’un \u00e9lectron de la valence dans la bande de c\u00e2ble, il existe un lien entre l’incidence de la lumi\u00e8re et la conductivit\u00e9 \u00e9lectrique. En particulier, la r\u00e9sistance \u00e9lectrique d’un semi-conducteur diminue avec l’augmentation de l’intensit\u00e9 de la lumi\u00e8re, qui z. B. peut \u00eatre utilis\u00e9 pour les capteurs de luminosit\u00e9, voir \u00e9galement sous la gestion de la photo.  Crossage de la bande directe: Une transition vers le minimum du c\u00f4t\u00e9 droit serait indirectement , mais \u00e9nergiquement moins favorable. Bande interdite directe [ Modifier | Modifier le texte source ]] Le minimum de la bande de ligne r\u00e9side dans le ET ( k\u2192) {displayStyle e ({vec {k}})} -Diagramme directement au-dessus du maximum de la bande de valence; dans elle k\u2192{DisplayStyle {thing {k}}} Le vecteur d’onde, qui est proportionnel aux photons, est \u00e0 votre impulsion vectorielle: k\u2192=1\u210f\u22c5p\u2192{DisplayStyle {thing {k}} = {frac {1} {hbar}} cdot {thing {p}}} Avec le quantum Planck r\u00e9duit \u210f . {displaystyle hbar.}  Avec une transition directe de la bande de valence \u00e0 la bande de ligne, la plus petite distance entre les ligaments est directement au-dessus du maximum de la bande de valence. D’o\u00f9 le changement D k\u2192\u2248 0\u2192{DisplayStyle delta {thing {k}} approx {thing {0}}} , par lequel le transfert d’impulsion du photon est n\u00e9glig\u00e9 en raison de sa petite taille en comparaison. Exemples d’application: dirig\u00e9 Bande interdite indirecte [ Modifier | Modifier le texte source ]]  Crossage de bande indirecte: UN \u00c0 la suite La transition du groupe serait plus d\u00e9favorable ici \u00e9nergiquement. Dans le cas d’une bande interdite indirecte, le minimum de la bande de ligne est sur le maximum de la bande de valence sur le k\u2192{DisplayStyle {thing {k}}} -Een axe, d. H. La plus petite distance entre les ligaments est compens\u00e9e. L’absorption d’un photon n’est efficacement possible qu’avec une bande interdite directe, avec une bande interdite indirecte, une impulsion quasi suppl\u00e9mentaire ( k\u2192{DisplayStyle {thing {k}}} ) Pour \u00eatre impliqu\u00e9, un phonon appropri\u00e9 est g\u00e9n\u00e9r\u00e9 ou d\u00e9truit. Ce processus avec un photon seul est beaucoup moins probable en raison de la faible impulsion de la lumi\u00e8re, le mat\u00e9riau montre une absorption plus faible l\u00e0-bas.Les \u00e9chelons de halver, comme le silicium et le germanium, avec un transfert de bande indirecte ont donc des propri\u00e9t\u00e9s d\u00e9favorables pour l’opto\u00e9lectronique. Comme mentionn\u00e9 ci-dessus, le type et la taille de la bande interdite sont \u00e9troitement li\u00e9s \u00e0 celui de la structure cristalline du mat\u00e9riau consid\u00e9r\u00e9 et ne sont pas attach\u00e9s \u00e0 l’\u00e9l\u00e9ment chimique. Il s’ensuit que d’autres formes de cristallisation d’un \u00e9l\u00e9ment peuvent \u00e9galement avoir d’autres propri\u00e9t\u00e9s de la bande interdite ou que les distorsions de la structure cristalline (par contrainte ou temp\u00e9rature externe) peuvent les influencer.En 1973, il \u00e9tait th\u00e9oriquement pr\u00e9dit que le germanium (en fait un semi-conducteur indirect dans la structure du diamant) est un semi-conducteur direct dans une structure cristalline hexagonale. [3] En 2020, les cristaux hexagonaux du silicium-allemanium se reproduisaient en les \u00e9vaporant \u00e0 des fils nano avec de l’ars\u00e9niure de gallium qui avait d\u00e9j\u00e0 une structure hexagonale et produisant ainsi des cristaux de silicium-allemanium avec des \u00e9carts de bande directe. [4] [5]  Suggestion d’un semi-conducteur par \u00e9nergie thermique L’\u00e9nergie ET g{displayStyle e_ {mathrm {g}}} Avec l’augmentation de la temp\u00e9rature pour de nombreux mat\u00e9riaux, la bande interdite a d’abord lieu carr\u00e9, puis lin\u00e9airement, sur la base d’une valeur maximale ET g( 0 ) {displayStyle e_ {mathrm {g}} (0)} \u00e0 T = 0 K {displayStyle t = 0, mathrm {k}} .Pour certains mat\u00e9riaux qui cristallisent dans la structure du diamant, la bande interdite peut \u00e9galement \u00eatre plus grande avec l’augmentation de la temp\u00e9rature.La d\u00e9pendance peut \u00eatre ph\u00e9nom\u00e9nologique et a. D\u00e9crire avec la formule Varshni: [6] ET g( T ) = ET g( T = 0 K ) – un \u22c5 T2T+\u03b2{displayStyle e_ {mathrm {g}} (t) = e_ {mathrm {g}} (t = 0, mathrm {k}) -alpha cdot {frac {t ^ {2}} {t + b\u00eata}}} Avec la temp\u00e9rature de Debye b \u2248 E Debye. {displaystyle beta approx theta _ {mathrm {debye}}.}  Les param\u00e8tres Varshni peuvent \u00eatre sp\u00e9cifi\u00e9s pour diff\u00e9rents semi-conducteurs: Param\u00e8tres Varshni pour les semi-conducteurs s\u00e9lectionn\u00e9s semi-conducteur ET g (T = 0k) (ce) \u03b1{displaystyle alpha} (dix \u22124 EV \/ K) \u03b2{DisplayStyle Beta} (K) Ceux Et 0 1 170 0 4.73 0 636 [7] Ge 0 0,744 0 4 774 0 235  Gaz 0 1.515 0 5 405 0 204 [7] Les deux 0 3.4 0 9.09 0 830 [8] Aln 0 6.2 17.99 1462 [8] \u00c0 l’int\u00e9rieur 0 0.7 0 2.45 0 624 [8] Ce comportement de temp\u00e9rature s’explique principalement par la d\u00e9pendance \u00e0 la temp\u00e9rature des interactions du phonone \u00e9lectronique.Un deuxi\u00e8me effet qui, entre autres choses. \u00c0 diamant \u00e0 un n\u00e9gatif un {displaystyle alpha} Leads, le d\u00e9calage est d\u00fb \u00e0 l’\u00e9tendue thermique de la grille.Cela peut devenir non lin\u00e9aire dans certaines zones et \u00e9galement n\u00e9gatif, ce qui signifie que n\u00e9gatif un {displaystyle alpha} peut \u00eatre expliqu\u00e9. [6] Les applications sont principalement utilis\u00e9es dans l’optique (y compris des lasers semi-conducteurs de diff\u00e9rentes couleurs) et dans tous les domaines du g\u00e9nie \u00e9lectrique, avec les propri\u00e9t\u00e9s semi-conductrices ou isolantes des syst\u00e8mes et leur grande variabilit\u00e9 (par exemple par alliage). Les syst\u00e8mes avec une bande interdite comprennent \u00e9galement les isolateurs topologiques de So-appels actuels depuis vers 2010, dans lesquels, en plus des conditions qui ne portent pas d’\u00e9lectricit\u00e9, (presque) des flux de surface super conducteurs se produisent. \u2191  Jerry L. Hudgins: Semi-conducteurs larges et \u00e9troits pour l’\u00e9lectronique de puissance: une nouvelle \u00e9valuation. Dans: Journal of Electronic Materials, juin 2003, volume 32, num\u00e9ro 6. Springer, 17 d\u00e9cembre 2002, S. 471\u2013477 , R\u00e9cup\u00e9r\u00e9 le 13 ao\u00fbt 2017 (Anglais).   \u2191 un b  A. F. Holleman, E. Wiberg, N. Wiberg: Manuel de chimie inorganique. 101. \u00c9dition. Walter de Gruyter, Berlin 1995, ISBN 3-11-012641-9, p. 1313.  \u2191  J. D. Joannopoulos, Marvin L. Cohen: Propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectroniques des phases cristallines et amorphes complexes de GE et SI. I. densit\u00e9 des \u00e9tats et des structures de bande . Dans: Revue physique B . Groupe  7 , Non.  6 , 15 mars 1973, S.  2644\u20132657 , est ce que je: 10.1103 \/ PhysRevb.7.2644 .   \u2191  Hamish Johnston: L’\u00e9metteur de lumi\u00e8re bas\u00e9e sur le silicium est le \u00abSaint Graal\u00bb de la micro\u00e9lectronique, disent les chercheurs . Dans: Monde physique. 8. avril 2020.  \u2191  Elham M. T. Fadaly U. un.: \u00c9mission directe des alliages de GE et de sige hexagonaux GE et SIGE . Dans: Nature . Groupe  580 , Non.  7802 , Avril 2020, S.  205\u2013209 , est ce que je: 10.1038 \/ S41586-020-2150-Y , Arxiv: 1911.00726 .   \u2191 un b  Y. P. Varshni: D\u00e9pendance \u00e0 la temp\u00e9rature de l’\u00e9cart d’\u00e9nergie dans les semi-conducteurs . Dans: Physica . Groupe  34 , Non.  d’abord , S.  149\u2013154 , est ce que je: 10.1016 \/ 0031-8914 (67) 90062-6 .   \u2191 un b  Hans-G\u00fcnther Wagemann, Heinz Eschrich: Radiation solaire et propri\u00e9t\u00e9s des semi-conducteurs, concepts et t\u00e2ches de cellules solaires . Vieweg + Teubner Verlag, 2007, ISBN 3-8351-0168-4, S.  75 .   \u2191 un b c  Barbara Monika Neubert: LED Gainn \/ Gan sur des facettes lat\u00e9rales semipolaires en utilisant des rayures GaN produites par une \u00e9pitaxie s\u00e9lective . Cuville Publishing, 2008, ISBN 978-386727-769-8, S.  dix .        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