[{"@context":"http:\/\/schema.org\/","@type":"BlogPosting","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/grabenisolation-wikipedia\/#BlogPosting","mainEntityOfPage":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/grabenisolation-wikipedia\/","headline":"Grabenisolation – Wikipedia","name":"Grabenisolation – Wikipedia","description":"before-content-x4 Le Grab\u00e9nisolation ( Anglais Isolement de la tranch\u00e9e peu profonde , Sti aussi Technique d’isolement des bo\u00eetes , Bit)","datePublished":"2023-11-26","dateModified":"2023-11-26","author":{"@type":"Person","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/author\/lordneo\/#Person","name":"lordneo","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/author\/lordneo\/","image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","url":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","height":96,"width":96}},"publisher":{"@type":"Organization","name":"Enzyklop\u00e4die","logo":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","width":600,"height":60}},"image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/upload.wikimedia.org\/wikipedia\/commons\/thumb\/6\/6f\/Shallow_trench_isolation_process_DE.svg\/440px-Shallow_trench_isolation_process_DE.svg.png","url":"https:\/\/upload.wikimedia.org\/wikipedia\/commons\/thumb\/6\/6f\/Shallow_trench_isolation_process_DE.svg\/440px-Shallow_trench_isolation_process_DE.svg.png","height":"470","width":"440"},"url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/grabenisolation-wikipedia\/","wordCount":1900,"articleBody":"     (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});before-content-x4Le Grab\u00e9nisolation ( Anglais  Isolement de la tranch\u00e9e peu profonde , Sti aussi Technique d’isolement des bo\u00eetes , Bit) est une m\u00e9thode de technologie des semi-conducteurs pour l’isolement \u00e9lectrique des composants individuels (principalement des transistors \u00e0 effet de champ de malheur) sur les circuits int\u00e9gr\u00e9s (IC). \u00c0 cette fin, environ 250 \u00e0 700 nm de tranch\u00e9es de profondeur sont g\u00e9n\u00e9r\u00e9es entre les zones \u00e9lectriquement actives et remplies d’un mat\u00e9riau isolant \u00e9lectriquement (principalement du dioxyde de silicium). Un processus similaire est \u00e9galement utilis\u00e9 dans d’autres produits semi-conducteurs, par exemple dans les transistors bipolaires \u00e0 haute performance ou les circuits int\u00e9gr\u00e9s analogiques. Des profondeurs de foss\u00e9 d’environ 5 \u00b5m sont utilis\u00e9es. Pour distinguer de \u00abl’isolation de la tranch\u00e9e plate\u00bb (STI, peu profond = dt. plat ) Si ce processus est une \u00abisolation de la tranch\u00e9e profonde\u00bb (anglais. Isolement de la tranch\u00e9e profonde , Dti, profond = dt. profond ) d\u00e9sign\u00e9.        (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4De plus, il existe un certain nombre de m\u00e9thodes d’isolation diff\u00e9rentes qui utilisent \u00e9galement un foss\u00e9 plus ou moins profond rempli de mat\u00e9riaux isolants \u00e9lectriquement. [d’abord] La technologie STI a \u00e9t\u00e9 la technologie d’isolation pr\u00e9f\u00e9r\u00e9e (pour l’isolation \u00e9lectrique des composants individuels) pour les circuits CMOS (en particulier pour les n\u0153uds technologiques inf\u00e9rieurs \u00e0 0,25 \u00b5m [2] [3] ). La proc\u00e9dure a \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9e car les techniques utilis\u00e9es pr\u00e9c\u00e9demment (en particulier le processus de locos et les extensions) n’\u00e9taient plus suffisantes pour le faire afin d’utiliser la taille minimale de la structure utilis\u00e9e. taille de caract\u00e9ristique ) pour assurer une isolation suffisante. La technologie LOCOS a eu quelques inconv\u00e9nients importants, par exemple, limit\u00e9 la formation des “clich\u00e9s d’oiseaux” La densit\u00e9 de l’emballage et l’effet d’isolation sont plut\u00f4t superficiels. De plus, la technologie LOCOS a un impact n\u00e9gatif sur la topographie de l’interface ChIP, de sorte que les \u00e9tapes ult\u00e9rieures sont entrav\u00e9es en raison de la structuration lithographique plus faible pour FEACIBLE. Le principal inconv\u00e9nient du processus STI par rapport \u00e0 Loco est le plus grand nombre d’\u00e9tapes de processus.         (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4Le processus de fabrication des IST en tant que technologie de la technologie Le processus Sti est g\u00e9n\u00e9ralement l’une des premi\u00e8res \u00e9tapes de production de la production de circuits int\u00e9gr\u00e9s. Le mat\u00e9riau de d\u00e9part est une tranche de silicium non structur\u00e9e. Les \u00e9paisseurs de couche indiqu\u00e9es dans la description de base suivante [4] [5] sont des valeurs d’orientation et peuvent diff\u00e9rer consid\u00e9rablement dans le cas de processus r\u00e9els. La premi\u00e8re section de processus (figure 1) comprend la s\u00e9paration du DAPEL de la couche, qui est ult\u00e9rieurement structur\u00e9e. \u00c0 cette fin, une couche de dioxyde de silicium tr\u00e8s mince est d’abord g\u00e9n\u00e9r\u00e9e par oxydation thermique du silicium (environ 20\u201340 nm). Cet oxyde sert de couche tampon pour la couche de nitrure de silicium ult\u00e9rieure, qui est destin\u00e9e \u00e0 r\u00e9duire les tensions m\u00e9caniques qui surviennent \u00e0 diff\u00e9rentes tailles par des coefficients de dilatation m\u00e9canique et thermique et ainsi am\u00e9liorer la responsabilit\u00e9 de la couche de nitrure. L’oxyde est ensuite via une s\u00e9paration de phase gazeuse chimique avec une basse pression (anglais. CVD \u00e0 basse pression , LPCVD) recouvert d’une couche de nitrure de silicium (environ 100\u2013150 nm); La couche de nitrure sert plus tard de couche d’arr\u00eat pour le processus CMP (anglais. planarisation chimique-m\u00e9canique ). Enfin, une peinture photo est utilis\u00e9e par rev\u00eatement rotatif. La deuxi\u00e8me section de processus suivante (figure 2) est l’exposition des bacs d’isolation ult\u00e9rieurs. \u00c0 cette fin, la peinture photo pr\u00e9c\u00e9demment appliqu\u00e9e est une cygolithe structur\u00e9e-hug et donc les zones de tranch\u00e9es ult\u00e9rieures masqu\u00e9es. Ceci est suivi par la gravure anisotrope de la couche DAPEL et des zones de tranch\u00e9e (environ 250\u2013700 nm de profondeur), par exemple \u00e0 travers des ensembles de profondeur d’ions r\u00e9actifs (Drie). Afin d’\u00e9liminer les r\u00e9sidus de polym\u00e8re du RIE-Step, suit une courte \u00e9tape de gravure chimique humide avec une solution fluorat\u00e9rale d’hydrog\u00e8ne (acide de la rivi\u00e8re), qui en m\u00eame temps sous-estim\u00e9 l\u00e9g\u00e8rement l’oxyde de tampon (figure 3). Maintenant, les tranch\u00e9es sont remplies de dioxyde de silicium en mati\u00e8re d’isolation. Le d\u00e9part se d\u00e9roule sur un processus de MCV pour trop remplir les tranch\u00e9es. Le processus CVD doit avoir la propri\u00e9t\u00e9 de remplir des structures plus petites avec des conditions d’aspect plus \u00e9lev\u00e9. Ceci est possible, par exemple, avec HDP-TEOS-PECVD (plasma \u00e0 haute densit\u00e9-tetra\u00e9thylent orthosilicat-plasma-CVD). Afin d’obtenir une interface de haute qualit\u00e9 entre le silicium et le dioxyde de silicium CVD, c’est-\u00e0-dire une interface avec quelques charges d’interface, un dioxyde de silicium thermique sur les zones de tranch\u00e9e est souvent g\u00e9n\u00e9r\u00e9 avant le rev\u00eatement CVD, le soi-disant oxyde de rev\u00eatement (Figure 4, environ 20\u201350 nm). Entre autres choses, les dommages et la contrainte m\u00e9canique sur les bords graves sont \u00e9galement r\u00e9duits par le processus grav\u00e9.        (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4Apr\u00e8s avoir rempli les tranch\u00e9es, la tranche est compl\u00e8tement recouverte d’un syst\u00e8me de calques en dioxyde de silicium et du nitrure. Pour les \u00e9tapes de production suivantes telles que le d\u00e9veloppement des structures de transistor, il est donc n\u00e9cessaire de lib\u00e9rer \u00e0 nouveau le substrat de silicium. Cela se fait \u00e9galement en ce qui concerne l’am\u00e9lioration de la surface de la plaquette (topographie) – en particulier pour la photo ithograph-through the Rolation des couches au-dessus de la tranche par le polissage chimique-m\u00e9canique (CMP) du dioxyde de silicium, le soi-disant Oxyde-cmp . Le nitrure de silicium sert de couche d’arr\u00eat pour le processus de polissage. Ceci est suivi par l’\u00e9limination nasale de la couche d’arr\u00eat du nitrure de silicium (avec de l’acide phosphorique) et une \u00e9valuation de l’oxyde restant avec l’acide de la rivi\u00e8re jusqu’\u00e0 ce que la couche d’oxyde de tampon soit \u00e9limin\u00e9e. Gary S. May, Simon M. Sze: Fondamentaux de la fabrication de semi-conducteurs . Wiley & Sons, 2003, ISBN 0-471-23279-3.  Stephen A. Campbell: La science et l’ing\u00e9nierie de la fabrication micro\u00e9lectronique . 2e \u00e9dition. Oxford University Press, 2001, ISBN 0-19-513605-5.  \u2191  VGL. Dinesh C. Gupta: Fabrication de semi-conducteurs: technologie et m\u00e9trologie . ASTM International, 1989, ISBN 0-8031-1273-4, S.  291 .   \u2191  Michael Quirk, Julian Serda:  Technologie de fabrication de semi-conducteurs: Manuel de l’instructeur ( M\u00e9mento \u00e0 partir du 28 septembre 2007 Archives Internet ) (PDF; 1,4 Mo). S. 25.  \u2191  Gary S. May, Simon M. Sze: Fondamentaux de la fabrication de semi-conducteurs . Wiley & Sons, 2003, ISBN 0-471-23279-3, S.  207 .   \u2191  Sami Franssila: Introduction \u00e0 la microfabrication . John Wiley & Sons, 2010, ISBN 978-0-470-74983-8, S.  336 .   \u2191  Yuzhuo li: Applications micro\u00e9lectroniques de la planarisation m\u00e9canique chimique . John Wiley & Sons, 2007, ISBN 978-0-471-71919-9, S.  349\u2013350 .         (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4"},{"@context":"http:\/\/schema.org\/","@type":"BreadcrumbList","itemListElement":[{"@type":"ListItem","position":1,"item":{"@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/#breadcrumbitem","name":"Enzyklop\u00e4die"}},{"@type":"ListItem","position":2,"item":{"@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/grabenisolation-wikipedia\/#breadcrumbitem","name":"Grabenisolation – Wikipedia"}}]}]