[{"@context":"http:\/\/schema.org\/","@type":"BlogPosting","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/silicigermanium-wikipedia\/#BlogPosting","mainEntityOfPage":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/silicigermanium-wikipedia\/","headline":"Silicigermanium – Wikipedia","name":"Silicigermanium – Wikipedia","description":"before-content-x4 Siliciumgermanium (Sujet -langue; langue standard Siziumgermanium ), pour le sige court, est un transporteur de connexion IV-IV compos\u00e9 des","datePublished":"2019-07-14","dateModified":"2019-07-14","author":{"@type":"Person","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/author\/lordneo\/#Person","name":"lordneo","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/author\/lordneo\/","image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","url":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","height":96,"width":96}},"publisher":{"@type":"Organization","name":"Enzyklop\u00e4die","logo":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","width":600,"height":60}},"image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/de.wikipedia.org\/wiki\/Special:CentralAutoLogin\/start?type=1x1","url":"https:\/\/de.wikipedia.org\/wiki\/Special:CentralAutoLogin\/start?type=1x1","height":"1","width":"1"},"url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/silicigermanium-wikipedia\/","wordCount":1803,"articleBody":"     (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});before-content-x4Siliciumgermanium (Sujet -langue; langue standard Siziumgermanium ), pour le sige court, est un transporteur de connexion IV-IV compos\u00e9 des \u00e9l\u00e9ments silicium (Si) et germanium (GE).        (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4De nombreuses m\u00e9thodes peuvent \u00eatre transf\u00e9r\u00e9es par la relation avec la technologie du silicium. Des plaquettes de silicium conventionnelles sont utilis\u00e9es pour la production, qui sont \u00e9largies avec une couche de sicite similaire au silicium \u00e9tir\u00e9. La technologie de processus est mise en \u0153uvre en utilisant l’\u00e9pitaxie. \u00c0 des temp\u00e9ratures d’environ 600 \u00b0 C, Silan (SIH 4 ) et allemand (allez 4 ) une couche SIGE fixe. Avec les flux de gaz, la partie de la couche SIGE peut \u00eatre ajust\u00e9e (5 \u00e0 30 pourcentage nucl\u00e9aire). Cela accueille la couche de sige monocristalline. Ce n’est que lorsqu’une \u00e9paisseur de couche critique est d\u00e9pass\u00e9e (d\u00e9tend) la couche et le relief cristallin ind\u00e9sirable survient. Dans les zones de base \u00e0 bore des transistors bipolaires, le carbone suppl\u00e9mentaire est de pr\u00e9f\u00e9rence introduit, c’est pourquoi la technologie SIGE est souvent \u00e9galement appel\u00e9e SIGE: C. Cela r\u00e9duit consid\u00e9rablement la vitesse de diffusion du mat\u00e9riau dop\u00e9 dans la zone de base au cours des processus de temp\u00e9rature suivants et emp\u00eache le bore de la couche SIGE. Il est possible de concevoir le processus d’\u00e9pitaxie de telle mani\u00e8re qu’un tas de couche, compos\u00e9 d’une couche de d\u00e9marrage SI, isol\u00e9e de la zone de base de sige conductrice p et d’une couche de couverture SI de conducteur en n (\u00e9metteur). Les transistors ont une transition h\u00e9t\u00e9ro (transistor bipolaire h\u00e9t\u00e9rojonction, HBT). Le principal domaine d’application est l’\u00e9lectronique haute fr\u00e9quence et le domaine de la technologie num\u00e9rique rapide.        (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4Des recherches \u00e0 l’Universit\u00e9 Ruhr Bochum de 2003 dans le groupe de travail Hans-Martin Rein ont ouvert la voie du SIGE pour la gamme de fr\u00e9quences haute \u00e0 77 GHz en d\u00e9veloppant des circuits dans ce processus qui ont pu exploiter pleinement le potentiel du processus SIGE. [d’abord] [2] Pour cette raison, SIGE convient, par exemple, \u00e0 utiliser dans la zone des radars de voiture \u00e0 77 GHz pour la g\u00e9n\u00e9ration de fr\u00e9quences ou la conversion de signal. SIGE est utilis\u00e9, par exemple, dans un radar d’avertissement de distance de Robert Bosch GmbH (d\u00e9but de la production en s\u00e9rie 1er trimestre 2009) et du chipset Infineon (famille RXN774X) utilis\u00e9 par celui-ci). En plus du SIGE comme mat\u00e9riau de base pour les applications \u00e0 haute fr\u00e9quence autour de 77 GHz, l’ars\u00e9niure de gallium (GAAS) est encore \u00e0 mentionner, qui, cependant, dans l’\u00e9tat de la technologie actuelle (2006), ne doit pas \u00eatre obtenu \u00e0 partir de la fr\u00e9quence coup\u00e9e du SIGE et est \u00e9galement consid\u00e9rablement plus cher. \u00c9tant donn\u00e9 que avec le GAAS, contrairement au SIGE, les niveaux de performance sont \u00e9galement possibles, il peut \u00eatre int\u00e9ressant de rester avec GaAs tant que ce mat\u00e9riau domine toujours la fr\u00e9quence requise. Les d\u00e9veloppements de 2008 \u00e0 2010 ont montr\u00e9 des fr\u00e9quences de transit accessibles de 250 GHz \u00e0 500 GHz. [3] Au d\u00e9but des ann\u00e9es 2000, SIGE a \u00e9galement trouv\u00e9 une utilisation dans les processeurs conventionnels pour le PC de bureau (Intel, IBM \/ AMD). Il est exploit\u00e9 que la mobilit\u00e9 des porteurs de charge des \u00e9lectrons et des \u00e9lectrons de d\u00e9faut puisse \u00eatre augment\u00e9e par des tensions m\u00e9caniques (silicium donc cal\u00e9). Cet effet d\u00e9pend du type de tension et de l’orientation cristalline pour les \u00e9lectrons et les \u00e9lectrons de d\u00e9faut, mais la tension de pression, par exemple, aggrave la mobilit\u00e9 des porteurs de charge des \u00e9lectrons dans  -SI, mais am\u00e9liore celui des \u00e9lectrons de d\u00e9faut. Le germanium en silicium n’est donc pas utilis\u00e9 comme mat\u00e9riau d’\u00e9gout. Au lieu de cela, il est utilis\u00e9 pour la tension du canal. Apr\u00e8s la production des portes du polysilicum, le silicium des zones de drainage de la source r\u00e9elle pr\u00e8s du canal est grav\u00e9 (par des ensembles d’ions r\u00e9actifs, etc.) puis remplis d’un cvd-signe \u00e9pitactique. En raison de l’expansion du volume diff\u00e9rente de SIGE et SI, lors du refroidissement, la zone entre la source et la zone de drainage (c’est-\u00e0-dire le canal) est tendue (tension de pression). En principe, cette technologie peut \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9e en conjonction avec des piles de portes conventionnelles (dioxyde de silicium et polysilicium). Avec la technologie de porte m\u00e9tallique High-K +, cependant, une tension plus importante peut \u00eatre obtenue en \u00e9liminant la porte du polysilicium apr\u00e8s la tension; Plus tard, cette salle est ensuite remplie de m\u00e9tal. [4] [5] \u2191  Hao Li, H.-M. Rein: VCO \u00e0 ondes millim\u00e9triques avec une large gamme de r\u00e9glage et un bruit faible en phase, enti\u00e8rement int\u00e9gr\u00e9s dans une technologie de production bipolaire SIGE . Dans: IEEE Journal of Solid State Circuits . Groupe  38 , Non.  2 , 2003, S.  184\u2013191 , est ce que je: 10.1109 \/ jssc.2002.807404 .   \u2191  Hao Li, H.-M. Rein, T. Suttorp, J. Bock: VCO SIGE enti\u00e8rement int\u00e9gr\u00e9e avec un tampon de sortie puissant pour les syst\u00e8mes et applications de radar automobiles \u00e0 77 GHz autour de 100 GHz . Dans: IEEE Journal of Solid State Circuits . Groupe  39 , Non.  dix , 2004, S.  1650\u20131658 , est ce que je: 10.1109 \/ jssc.2004.833552 .   \u2191  Projet Dotfive – Vers 0,5 Technologie bipolaire de l’h\u00e9t\u00e9rojonction Terahertz Silicon \/ Germanium. Consult\u00e9 le 25 janvier 2013 .   \u2191  Chris Auth, Mark Buehler, Annalisa Cappellani, Chi-hing Choi, Gary Ding, Weimin Han, Subhash Joshi, Brian McIntyre, Matt Prince, Pushkar Ranade, Justin Sandford, Christopher Thomas: TRANSISTORS DE R\u00c9RICTION DE STRAVES M\u00c9TALES HIGH-K High-K + . Dans: Journal technologique Intel\u00ae . Groupe  douzi\u00e8me , Non.  01 , 2008, S.  77\u201385 , est ce que je: 10.1109 \/ vlsit.2008.4588589 ( Pdf ).   \u2191  Nous Weee, Tket, Cleke, C .. Technologies d’am\u00e9lioration de la mobilit\u00e9 . Dans: IEEE Circuits Devices Mag . Groupe  21 , Non.  3 , 2005, S.  21\u201336 , est ce que je: 10.1109 \/ MCD.2005.1438752 .         (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4"},{"@context":"http:\/\/schema.org\/","@type":"BreadcrumbList","itemListElement":[{"@type":"ListItem","position":1,"item":{"@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/#breadcrumbitem","name":"Enzyklop\u00e4die"}},{"@type":"ListItem","position":2,"item":{"@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/all2fr\/wiki1\/silicigermanium-wikipedia\/#breadcrumbitem","name":"Silicigermanium – Wikipedia"}}]}]