[{"@context":"http:\/\/schema.org\/","@type":"BlogPosting","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki29\/2021\/11\/26\/ddr3-sdram-wikipedia\/#BlogPosting","mainEntityOfPage":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki29\/2021\/11\/26\/ddr3-sdram-wikipedia\/","headline":"DDR3-SDRAM \u2013 Wikipedia","name":"DDR3-SDRAM \u2013 Wikipedia","description":"before-content-x4 Dritte Generation des synchronen dynamischen Direktzugriffsspeichers mit doppelter Datenrate DDR3-SDRAMDouble Data Rate 3 Synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher after-content-x4 4 GB","datePublished":"2021-11-26","dateModified":"2021-11-26","author":{"@type":"Person","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki29\/author\/lordneo\/#Person","name":"lordneo","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki29\/author\/lordneo\/","image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","url":"https:\/\/secure.gravatar.com\/avatar\/44a4cee54c4c053e967fe3e7d054edd4?s=96&d=mm&r=g","height":96,"width":96}},"publisher":{"@type":"Organization","name":"Enzyklop\u00e4die","logo":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki4\/wp-content\/uploads\/2023\/08\/download.jpg","width":600,"height":60}},"image":{"@type":"ImageObject","@id":"https:\/\/upload.wikimedia.org\/wikipedia\/commons\/thumb\/6\/6b\/2013_Transcend_TS512MLK72V6N-%28straightened%29.jpg\/220px-2013_Transcend_TS512MLK72V6N-%28straightened%29.jpg","url":"https:\/\/upload.wikimedia.org\/wikipedia\/commons\/thumb\/6\/6b\/2013_Transcend_TS512MLK72V6N-%28straightened%29.jpg\/220px-2013_Transcend_TS512MLK72V6N-%28straightened%29.jpg","height":"52","width":"220"},"url":"https:\/\/wiki.edu.vn\/wiki29\/2021\/11\/26\/ddr3-sdram-wikipedia\/","wordCount":9781,"articleBody":"     (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});before-content-x4Dritte Generation des synchronen dynamischen Direktzugriffsspeichers mit doppelter DatenrateDDR3-SDRAMDouble Data Rate 3 Synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher       (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x44 GB PC3-12800 ECC DDR3-DIMMEntwicklerJEDECTypSynchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher (SDRAM)Generation3. GenerationVer\u00f6ffentlichungsdatum2007 (2007)NormenDDR3-800 (PC3-6400)DDR3-1066 (PC3-8500)DDR3-1333 (PC3-10600)DDR3-1600 (PC3-12800)DDR3-1866 (PC3-14900)DDR3-2133 (PC3-17000)Taktfrequenz400\u20131066 MHzStromspannung  Referenz 1,5 VVorg\u00e4ngerDDR2-SDRAM (2003)NachfolgerDDR4-SDRAM (2014)Double Data Rate 3 Synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher (DDR3-SDRAM) ist eine Art synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher (SDRAM) mit einer Schnittstelle mit hoher Bandbreite (“Double Data Rate”) und wird seit 2007 verwendet. Es ist der schnellere Nachfolger von DDR und DDR2 und Vorg\u00e4nger von DDR4 synchrone dynamische Speicherchips mit wahlfreiem Zugriff (SDRAM).  DDR3-SDRAM ist aufgrund unterschiedlicher Signalspannungen, Timings und anderer Faktoren weder vorw\u00e4rts- noch r\u00fcckw\u00e4rtskompatibel mit einem fr\u00fcheren Typ von Direktzugriffsspeicher (RAM).       (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4DDR3 ist eine DRAM-Schnittstellenspezifikation.  Die tats\u00e4chlichen DRAM-Arrays, die die Daten speichern, \u00e4hneln fr\u00fcheren Typen mit \u00e4hnlicher Leistung.  Der Hauptvorteil von DDR3-SDRAM gegen\u00fcber seinem unmittelbaren Vorg\u00e4nger, DDR2-SDRAM, ist seine F\u00e4higkeit, Daten mit doppelter Geschwindigkeit (achtmal schneller als seine internen Speicher-Arrays) zu \u00fcbertragen, was eine h\u00f6here Bandbreite oder Spitzendatenraten erm\u00f6glicht.Der DDR3-Standard erlaubt DRAM-Chip-Kapazit\u00e4ten von bis zu 8 Gigabit (Gbit) und bis zu vier Ranks zu je 64 Bit f\u00fcr insgesamt maximal 16 Gigabyte (GB) pro DDR3-DIMM.  Aufgrund einer Hardwarebeschr\u00e4nkung, die erst bei Ivy Bridge-E im Jahr 2013 behoben wurde, unterst\u00fctzen die meisten \u00e4lteren Intel-CPUs nur bis zu 4-Gbit-Chips f\u00fcr 8-GB-DIMMs (Intels Core 2 DDR3-Chips\u00e4tze unterst\u00fctzen nur bis zu 2 Gbit).  Alle AMD-CPUs unterst\u00fctzen korrekt die vollst\u00e4ndige Spezifikation f\u00fcr 16-GB-DDR3-DIMMs.[1]Table of ContentsGeschichte[edit]Nachfolger[edit]Spezifikation[edit]\u00dcberblick[edit]Dual-Inline-Speichermodule[edit]Latenzen[edit]Energieverbrauch[edit]Module[edit]Serielle Anwesenheitserkennung[edit]4 . freigeben[edit]XMP-Erweiterung[edit]Varianten[edit]DDR3L- und DDR3U-Erweiterungen[edit]Funktionszusammenfassung[edit]Komponenten[edit]Module[edit]Technologische Vorteile gegen\u00fcber DDR2[edit]Siehe auch[edit]Verweise[edit]Externe Links[edit]Geschichte[edit]Im Februar 2005 stellte Samsung den ersten Prototyp eines DDR3-Speicherchips vor.  Samsung spielte eine wichtige Rolle bei der Entwicklung und Standardisierung von DDR3.[2][3]  Im Mai 2005 erkl\u00e4rte Desi Rhoden, Vorsitzender des JEDEC-Komitees, dass DDR3 seit “ungef\u00e4hr 3 Jahren” in der Entwicklung sei.[4]       (adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});after-content-x4DDR3 wurde 2007 offiziell eingef\u00fchrt, aber laut Intel-Stratege Carlos Weissenberg, der zu Beginn der Einf\u00fchrung im August 2008 sprach, wurde nicht erwartet, dass die Verk\u00e4ufe DDR2 bis Ende 2009 oder m\u00f6glicherweise Anfang 2010 \u00fcberholen werden.[5]  (Derselbe Zeitrahmen f\u00fcr die Marktdurchdringung wurde vom Marktforschungsunternehmen DRAMeXchange \u00fcber ein Jahr zuvor im April 2007 angegeben,[6]  und 2005 von Desi Rhoden.[4]) Die Hauptantriebskraft hinter dem verst\u00e4rkten Einsatz von DDR3 waren neue Core i7-Prozessoren von Intel und Phenom II-Prozessoren von AMD, die beide \u00fcber interne Speichercontroller verf\u00fcgen: Ersteres erfordert DDR3, Letzteres empfiehlt es.  IDC gab im Januar 2009 bekannt, dass die DDR3-Verk\u00e4ufe 29 % der gesamten verkauften DRAM-Einheiten im Jahr 2009 ausmachen w\u00fcrden und bis 2011 auf 72 % steigen w\u00fcrden.[7]Nachfolger[edit]Im September 2012, JEDEC ver\u00f6ffentlichte die endg\u00fcltige Spezifikation von DDR4.[8]  Zu den Hauptvorteilen von DDR4 im Vergleich zu DDR3 geh\u00f6ren ein h\u00f6herer standardisierter Bereich von Taktfrequenzen und Daten\u00fcbertragungsraten[9]  und deutlich niedrigere Spannung.Spezifikation[edit]\u00dcberblick[edit]Desktop-PCs (DIMM)Notebook- und Convertible-PCs (SO-DIMM)Im Vergleich zu DDR2-Speicher verbraucht DDR3-Speicher weniger Strom.  Einige Hersteller schlagen weiterhin vor, “Dual-Gate”-Transistoren zu verwenden, um den Leckstrom zu reduzieren.[10]Laut JEDEC,[11]: 111 1,575 Volt sollten als absolutes Maximum angesehen werden, wenn die Speicherstabilit\u00e4t im Vordergrund steht, beispielsweise in Servern oder anderen gesch\u00e4ftskritischen Ger\u00e4ten.  Dar\u00fcber hinaus gibt JEDEC an, dass Speichermodule bis zu 1,80 Volt standhalten m\u00fcssen[a]  bevor sie dauerhafte Sch\u00e4den erleiden, obwohl sie auf dieser Ebene nicht richtig funktionieren m\u00fcssen.[11]: 109Ein weiterer Vorteil ist der Prefetch-Puffer, der 8 Burst-tief ist.  Im Gegensatz dazu ist der Prefetch-Puffer von DDR2 4 Burst-tief und der Prefetch-Puffer von DDR 2 Burst-tief.  Dieser Vorteil ist eine entscheidende Technologie f\u00fcr die \u00dcbertragungsgeschwindigkeit von DDR3.DDR3-Module k\u00f6nnen Daten mit einer Rate von 800\u20132133 MT\/s \u00fcbertragen, indem sie sowohl steigende als auch fallende Flanken eines 400\u20131066 MHz I\/O-Takts verwenden.  Dies entspricht der doppelten Daten\u00fcbertragungsrate von DDR2 (400\u20131066 MT\/s bei einem E\/A-Takt von 200\u2013533 MHz) und der vierfachen Rate von DDR (200\u2013400 MT\/s bei einem E\/A-Takt von 100\u2013200 MHz). .  Hochleistungsgrafiken waren ein erster Treiber f\u00fcr solche Bandbreitenanforderungen, bei denen eine Daten\u00fcbertragung mit hoher Bandbreite zwischen Framebuffern erforderlich ist.Weil Hertz ein Ma\u00df f\u00fcr ist Fahrr\u00e4der pro Sekunde und kein Signalzyklus h\u00e4ufiger als jede andere \u00dcbertragung, die Angabe der \u00dcbertragungsrate in MHz ist technisch falsch, wenn auch sehr verbreitet.  Es ist auch irref\u00fchrend, weil verschiedene Speicher-Timings in Einheiten von Taktzyklen angegeben werden, was der halben Geschwindigkeit von Daten\u00fcbertragungen entspricht.DDR3 verwendet den gleichen elektrischen Signalisierungsstandard wie DDR und DDR2, Stub Series Terminated Logic, jedoch mit unterschiedlichen Timings und Spannungen.  DDR3 verwendet insbesondere SSTL_15.[13]Im Februar 2005 demonstrierte Samsung den ersten DDR3-Speicherprototyp mit einer Kapazit\u00e4t von 512 Mb und eine Bandbreite von 1.066 Gbit\/s.[2]  Produkte in Form von Motherboards kamen im Juni 2007 auf den Markt[14]  basierend auf Intels P35 “Bearlake” Chipsatz mit DIMMs bei Bandbreiten bis DDR3-1600 (PC3-12800).[15]  Der im November 2008 ver\u00f6ffentlichte Intel Core i7 ist nicht \u00fcber einen Chipsatz, sondern direkt mit dem Speicher verbunden.  Die Core i7, i5 & i3 CPUs unterst\u00fctzten zun\u00e4chst nur DDR3.  AMDs Sockel AM3 Phenom II X4 Prozessoren, die im Februar 2009 ver\u00f6ffentlicht wurden, waren die ersten, die DDR3 unterst\u00fctzten (w\u00e4hrend sie DDR2 aus Gr\u00fcnden der Abw\u00e4rtskompatibilit\u00e4t weiterhin unterst\u00fctzen).Dual-Inline-Speichermodule[edit]DDR3-Dual-Inline-Speichermodule (DIMMs) haben 240 Pins und sind elektrisch nicht kompatibel mit DDR2.  Eine Schl\u00fcsselkerbe, die bei DDR2- und DDR3-DIMMs unterschiedlich angeordnet ist, verhindert ein versehentliches Vertauschen.  Sie sind nicht nur unterschiedlich getastet, DDR2 hat seitlich abgerundete Kerben und die DDR3-Module haben seitliche quadratische Kerben.[16]  DDR3-SO-DIMMs haben 204 Pins.[17]F\u00fcr die Skylake-Mikroarchitektur hat Intel auch ein SO-DIMM-Paket namens UniDIMM entwickelt, das entweder DDR3- oder DDR4-Chips verwenden kann.  Der integrierte Speichercontroller der CPU kann dann mit beiden arbeiten.  Der Zweck von UniDIMMs besteht darin, den \u00dcbergang von DDR3 zu DDR4 zu bew\u00e4ltigen, bei dem Preis und Verf\u00fcgbarkeit einen Wechsel des RAM-Typs w\u00fcnschenswert machen.  UniDIMMs haben die gleichen Abmessungen und die gleiche Anzahl von Pins wie normale DDR4 SO-DIMMs, aber die Kerbe ist anders platziert, um eine versehentliche Verwendung in einem inkompatiblen DDR4 SO-DIMM-Sockel zu vermeiden.[18]Latenzen[edit]DDR3-Latenzen sind numerisch h\u00f6her, da die I\/O-Bus-Taktzyklen, mit denen sie gemessen werden, k\u00fcrzer sind;  das tats\u00e4chliche Zeitintervall ist \u00e4hnlich wie bei DDR2-Latenzen, etwa 10 ns.  Da DDR3 im Allgemeinen neuere Herstellungsverfahren verwendet, gibt es einige Verbesserungen, die jedoch nicht direkt durch den Wechsel zu DDR3 verursacht werden.CAS-Latenz (ns) = 1000 \u00d7 CL (Zyklen) \u00f7 Taktfrequenz (MHz) = 2000 \u00d7 CL (Zyklen) \u00f7 \u00dcbertragungsrate (MT\/s)W\u00e4hrend die typischen Latenzen f\u00fcr ein JEDEC DDR2-800-Ger\u00e4t 5-5-5-15 (12,5 ns) betrugen, umfassen einige Standardlatenzen f\u00fcr JEDEC DDR3-Ger\u00e4te 7-7-7-20 f\u00fcr DDR3-1066 (13,125 ns) und 8- 8-8-24 f\u00fcr DDR3-1333 (12 ns).Wie bei fr\u00fcheren Speichergenerationen wurde nach der Ver\u00f6ffentlichung der ersten Versionen schnellerer DDR3-Speicher verf\u00fcgbar.  DDR3-2000-Speicher mit 9-9-9-28-Latenz (9 ns) war p\u00fcnktlich zum Intel Core i7-Release Ende 2008 verf\u00fcgbar.[19]  w\u00e4hrend sp\u00e4tere Entwicklungen DDR3-2400 weithin verf\u00fcgbar machten (mit CL 9\u201312 Zyklen = 7,5\u201310 ns) und Geschwindigkeiten bis zu DDR3-3200 verf\u00fcgbar machten (mit CL 13 Zyklen = 8,125 ns).Energieverbrauch[edit]Der Stromverbrauch einzelner SDRAM-Chips (oder als Erweiterung DIMMs) h\u00e4ngt von vielen Faktoren ab, einschlie\u00dflich Geschwindigkeit, Nutzungsart, Spannung usw. Dells Power Advisor berechnet, dass 4 GB ECC DDR1333 RDIMMs jeweils etwa 4 W verbrauchen.[20]  Im Gegensatz dazu wird ein moderner Mainstream-Desktop-orientierter Teil 8 GB, DDR3\/1600 DIMM, mit 2,58 W bewertet, obwohl er deutlich schneller ist.[21]Module[edit]Liste der Standard-DDR3-SDRAM-ModuleNameChipBusZeitenStandardTypModulTaktfrequenz (MHz)Zykluszeit (ns)[22]Taktfrequenz (MHz)\u00dcbertragungsrate (MT\/s)Bandbreite (MB\/s)CL-TRCD-TRPCAS-Latenz (ns)DDR3-800DPC3-64001001040080064005-5-512,5E6-6-6f\u00fcnfzehnDDR3-1066EPC3-8500133\u21537,5533\u21531066\u21548533\u21536-6-611.25F7-7-713.125g8-8-8f\u00fcnfzehnDDR3-1333F*PC3-10600166\u21546666\u21541333\u215310666\u21547-7-710,5g8-8-812h9-9-913,5J*10-10-10f\u00fcnfzehnDDR3-1600G*PC3-1280020058001600128008-8-810h9-9-911.25J10-10-1012,5K11-11-1113,75DDR3-1866DDR3-1866J*DDR3-1866KDDR3-1866LDDR3-1866M*PC3-14900233\u21534.2860933\u21531866\u215414933\u215310-10-1011-11-1112-12-1213-13-1310.56 11.78612.857 13.929DDR3-2133DDR3-2133K*DDR3-2133LDDR3-2133MDDR3-2133N*PC3-17000266\u21543.751066\u21542133\u215317066\u215411-11-1112-12-1213-13-1314-14-1410.31311.25 12.18813.125* OptionalDDR3-xxx bezeichnet die Daten\u00fcbertragungsrate und beschreibt DDR-Chips, w\u00e4hrend PC3-xxxx die theoretische Bandbreite bezeichnet (mit den letzten beiden Ziffern abgeschnitten) und verwendet wird, um zusammengebaute DIMMs zu beschreiben.  Die Bandbreite wird berechnet, indem \u00dcbertragungen pro Sekunde genommen und mit acht multipliziert werden.  Dies liegt daran, dass DDR3-Speichermodule Daten auf einem 64 Datenbit breiten Bus \u00fcbertragen, und da ein Byte 8 Bit umfasst, entspricht dies 8 Byte Daten pro \u00dcbertragung.Mit zwei \u00dcbertragungen pro Zyklus eines vervierfachten Taktsignals kann ein 64-Bit breites DDR3-Modul eine \u00dcbertragungsrate von bis zu 64-facher Speichertaktgeschwindigkeit erreichen.  Bei einer gleichzeitigen \u00dcbertragung von 64 Bit pro Speichermodul bietet DDR3 SDRAM eine \u00dcbertragungsrate von (Speichertaktrate) \u00d7 4 (f\u00fcr Bustaktmultiplikator) \u00d7 2 (f\u00fcr Datenrate) \u00d7 64 (Anzahl der \u00fcbertragenen Bits) \/ 8 (Anzahl der Bits in einem Byte).  So erreicht DDR3 SDRAM bei einer Speichertaktfrequenz von 100 MHz eine maximale Transferrate von 6400 MB\/s.Die Datenrate (in MT\/s) betr\u00e4gt aufgrund der doppelten Datenrate des DDR-Speichers das Doppelte des I\/O-Bus-Takts (in MHz).  Wie oben erl\u00e4utert, ist die Bandbreite in MB\/s die Datenrate multipliziert mit acht.CL \u2013 CAS Latenztaktzyklen zwischen dem Senden einer Spaltenadresse an den Speicher und dem Beginn der Daten als AntworttRCD \u2013 Taktzyklen zwischen Zeilenaktivierung und Lese-\/Schreibvorg\u00e4ngentRP \u2013 Taktzyklen zwischen Reihenvorladung und AktivierungBruchh\u00e4ufigkeiten werden normalerweise abgerundet, aber das Aufrunden auf 667 ist \u00fcblich, da die genaue Zahl 666\u2154 betr\u00e4gt und auf die n\u00e4chste ganze Zahl gerundet wird.  Manche Hersteller runden auch auf eine gewisse Genauigkeit oder runden stattdessen auf.  PC3-10666-Speicher k\u00f6nnte beispielsweise als PC3-10600 oder PC3-10700 aufgelistet werden.[23]Notiz: Alle oben aufgef\u00fchrten Artikel werden von JEDEC als JESD79-3F spezifiziert.[11]: 157\u2013165Alle RAM-Datenraten zwischen oder \u00fcber diesen aufgef\u00fchrten Spezifikationen sind nicht von JEDEC standardisiert \u2013 oft handelt es sich lediglich um Herstelleroptimierungen mit h\u00f6her tolerierten oder \u00fcbervoltierten Chips.  Von diesen nicht standardm\u00e4\u00dfigen Spezifikationen entsprach die h\u00f6chste gemeldete Geschwindigkeit, die im Mai 2010 erreicht wurde, DDR3-2544.[24]Alternative Namensgebung: DDR3-Module werden aus Marketinggr\u00fcnden oft f\u00e4lschlicherweise mit dem Pr\u00e4fix PC (statt PC3) gefolgt von der Datenrate beschriftet.  Unter dieser Konvention wird PC3-10600 als PC1333 aufgef\u00fchrt.[25]Serielle Anwesenheitserkennung[edit]DDR3-Speicher verwendet serielle Pr\u00e4senzerkennung.[26]  Serial Presence Detect (SPD) ist eine standardisierte Methode, um automatisch \u00fcber eine serielle Schnittstelle auf Informationen \u00fcber ein Computerspeichermodul zuzugreifen.  Es wird normalerweise w\u00e4hrend des Selbsttests beim Einschalten zur automatischen Konfiguration von Speichermodulen verwendet.4 . freigeben[edit]Release 4 des DDR3 Serial Presence Detect (SPD)-Dokuments (SPD4_01_02_11) f\u00fcgt Unterst\u00fctzung f\u00fcr Load Reduction DIMMs und auch f\u00fcr 16b-SO-DIMMs und 32b-SO-DIMMs hinzu.Die JEDEC Solid State Technology Association gab die Ver\u00f6ffentlichung von Release 4 des DDR3 Serial Presence Detect (SPD)-Dokuments am 1. September 2011 bekannt.[27]XMP-Erweiterung[edit]Die Intel Corporation hat am 23. M\u00e4rz 2007 offiziell die eXtreme Memory Profile (XMP)-Spezifikation eingef\u00fchrt, um Enthusiasten Leistungserweiterungen der traditionellen JEDEC-SPD-Spezifikationen f\u00fcr DDR3-SDRAM zu erm\u00f6glichen.[28]Varianten[edit]Neben Bandbreitenbezeichnungen (z. B. DDR3-800D) und Kapazit\u00e4tsvarianten k\u00f6nnen Module eines der folgenden sein:ECC-Speicher, der \u00fcber eine zus\u00e4tzliche Datenbyte-Lane verf\u00fcgt, die zum Korrigieren kleinerer Fehler und zum Erkennen gr\u00f6\u00dferer Fehler f\u00fcr eine bessere Zuverl\u00e4ssigkeit verwendet wird.  Module mit ECC sind durch ein zus\u00e4tzliches . gekennzeichnet ECC oder E in ihrer Bezeichnung.  Beispiel: “PC3-6400 ECC” oder PC3-8500E.[29]Registrierter oder gepufferter Speicher, der die Signalintegrit\u00e4t (und somit potentiell Taktraten und physikalische Slot-Kapazit\u00e4t) verbessert, indem die Signale mit einem Register elektrisch gepuffert werden, auf Kosten eines zus\u00e4tzlichen Takts mit erh\u00f6hter Latenz.  Diese Module sind durch ein zus\u00e4tzliches . gekennzeichnet R in ihrer Bezeichnung, zum Beispiel PC3-6400R.[30]Nicht registrierter (alias “ungepufferter”) RAM vielleicht gekennzeichnet durch ein zus\u00e4tzliches U in der Bezeichnung.[30]Vollst\u00e4ndig gepufferte Module, die mit gekennzeichnet sind F oder FB und haben nicht die gleiche Kerbenposition wie andere Klassen.  Vollst\u00e4ndig gepufferte Module k\u00f6nnen nicht mit Motherboards verwendet werden, die f\u00fcr registrierte Module entwickelt wurden, und die unterschiedliche Kerbenposition verhindert physikalisch ihr Einsetzen.Lastreduzierte Module, die mit gekennzeichnet sind LR und \u00e4hneln registrierten\/gepufferten Speichern in einer Weise, dass LRDIMM-Module sowohl Steuer- als auch Datenleitungen puffern und gleichzeitig die Parallelit\u00e4t aller Signale beibehalten.  Daher bietet LRDIMM-Speicher gro\u00dfe maximale Gesamtspeicherkapazit\u00e4ten und adressiert gleichzeitig einige der Leistungs- und Stromverbrauchsprobleme von FB Speicher, der durch die erforderliche Umwandlung zwischen seriellen und parallelen Signalformen induziert wird.Sowohl die Speichertypen FBDIMM (vollst\u00e4ndig gepuffert) als auch LRDIMM (lastreduziert) sind in erster Linie darauf ausgelegt, die Menge des elektrischen Stroms zu steuern, der zu und von den Speicherchips zu einem bestimmten Zeitpunkt flie\u00dft.  Sie sind nicht mit registriertem\/gepuffertem Speicher kompatibel, und Motherboards, die sie ben\u00f6tigen, akzeptieren normalerweise keine andere Art von Speicher.DDR3L- und DDR3U-Erweiterungen[edit]Die DDR3L (DDR3-Low Voltage) ist ein Addendum zum JESD79-3 DDR3 Memory Device Standard, das Niederspannungsger\u00e4te spezifiziert.[31]  Der DDR3L-Standard ist 1,35 V und tr\u00e4gt das Label PC3L f\u00fcr seine Module.  Beispiele sind DDR3L-800 (PC3L-6400), DDR3L-1066 (PC3L-8500), DDR3L-1333 (PC3L-10600) und DDR3L-1600 (PC3L-12800).  Der gem\u00e4\u00df DDR3L- und DDR3U-Spezifikationen spezifizierte Speicher ist mit dem urspr\u00fcnglichen DDR3-Standard kompatibel und kann entweder mit der niedrigeren Spannung oder mit 1,50 V betrieben werden.[32]  Ger\u00e4te, die ausdr\u00fccklich DDR3L erfordern und mit 1,35 V arbeiten, wie beispielsweise Systeme, die mobile Versionen von Intel Core-Prozessoren der vierten Generation verwenden, sind jedoch nicht mit 1,50 V DDR3-Speicher kompatibel.[33]  DDR3L unterscheidet sich vom mobilen Speicherstandard LPDDR3 und ist mit diesem nicht kompatibel.Die DDR3U (DDR3-Ultra Low Voltage) Standard ist 1,25 V und tr\u00e4gt das Etikett PC3U f\u00fcr seine Module.[34]Die JEDEC Solid State Technology Association gab die Ver\u00f6ffentlichung von JEDEC DDR3L am 26. Juli 2010 bekannt[35]  und das DDR3U im Oktober 2011.[36]Funktionszusammenfassung[edit]Komponenten[edit]Einf\u00fchrung des asynchronen RESET-PinsUnterst\u00fctzung der Flugzeitkompensation auf SystemebeneOn-DIMM-Spiegel-freundliche DRAM-PinbelegungEinf\u00fchrung von CWL (CAS Write Latency) pro Takt-BinOn-Die-E\/A-Kalibrierungs-EngineLESEN- und SCHREIBEN-KalibrierungDynamische ODT-Funktion (On-Die-Termination) erm\u00f6glicht verschiedene Abschlusswerte f\u00fcr Lese- und Schreibvorg\u00e4ngeModule[edit]Fly-by-Befehls-\/Adress-\/Steuerbus mit On-DIMM-TerminierungHochpr\u00e4zise Kalibrierwiderst\u00e4ndeSind nicht abw\u00e4rtskompatibel \u2013 DDR3-Module passen nicht in DDR2-Sockel;  Gewalt gegen sie kann das DIMM und\/oder das Motherboard besch\u00e4digen[37]Technologische Vorteile gegen\u00fcber DDR2[edit]H\u00f6here Bandbreitenleistung, bis zu 2133 MT\/s standardisiertLeicht verbesserte Latenzen, gemessen in NanosekundenH\u00f6here Leistung bei geringem Stromverbrauch (l\u00e4ngere Akkulaufzeit bei Laptops)Verbesserte EnergiesparfunktionenSiehe auch[edit]^ Vor Revision F gab die Norm an, dass 1,975 V der absolute maximale DC-Nennwert war.[12]Verweise[edit]^ Schneiderin, Ian (2014-02-11). “I’M Intelligent Memory ver\u00f6ffentlicht 16 GB unregistrierte DDR3-Module”. anandtech.com.  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