グラフィックダブルデータレート – ウィキペディア

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Hynix 256 Mbit GDDR-SDRAM

グラフィックダブルデータレート 、 短い gdr 、転送速度が高い特別なGDRメモリです。
これは、次のように達成されます。

  • しっかりとはんだ付けのメモリ（1つまたは2つのプラグインコンタクトの代わりに）、
  • CPUまたはグラフィックチップのすぐ隣の非常に短く直接シグナリングパス（CPUチップ、CPUソッカー、PCB-1、RAMソケット、PCB-2のRAMモジュールの代わりに）、
  • メーカーでのプロセッサチップ、PCB、およびRAMチップの調整（すべての可能なコンポーネントが他のものと連携する必要があるわけではありません）、
  • 1行ごとに1つのメモリチップ、ポイントツーポイント接続（GDR-RAMとは違う：最大2）のみ、
  • 遅延時間の妥協のために部分的に高クロックレートでチップ設計の最適化と
  • 16倍のプリフェッチ（GDR 5メモリでも発生する）、QDR、PAM-4などのさらなる最適化。
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その結果、高速GDR RAMと比較して同じバス幅を持つデータ転送速度を4倍にすることができます。 [初め] 主にグラフィックカードで使用されています。でも使用されます
ゲームコンソールやIntel Xeon Phiなどの特別なプロセッサは、高い帯域幅を必要とし、メモリをメインボードにはんだ付けできるものです。 GDDRメモリはGDRメモリとは異なる方法で制御されるため、これは使用されるプロセッサによってサポートされる必要があります。

gdr-
遺伝子。 		Takt（GHz） 管理
コード 		トランスファーレート（gb/s） バス-
広い 		事前
フェッチ 		動作電圧
VDD/VDDQ 		ハウジング ジェデック標準
I/o データ 32ビット 8×32ビット 12×32ビット
初め 0.16 … 0.4 0.32 … 0.8 gdr-nrz 1.3 … 3.2 10.4 … 25.6 2× 32ビット 0 2-Fach 0 2.5 V / 2,5 V JESD21C-2005、3.11.5.2
2 0 0.4 … 0.5 0 0.8 … 1 3.2 … 4 25.6 … 32 2× 32ビット 0 2.5 V / 1.8 v JESD21C-2005、3.11.5.6
3 0 0.7 … 1.3 0 1.4 … 2.6 5.6 … 10 、0 45 … 83 0 67 … 125 2× 32ビット 0 4-Fach 0 1.8 V / 1.8 v 170ボールFBGA JESD21C-2005、3.11.5.7
4 0.00 … 1.6 0.00 … 3.2 0.0 … 13 00.0 … 102 000 … 153 2× 32ビット 0 8ファッハ JESD21C-2005、3.11.5.8
5 0 1.8 … 4 0 3.6 … 8 、 14 … 32 、 115 … 256 173 … 384 2× 32ビット 0 8ファッハ 0 1.5 V / 1.5 V 170ボールFBGA JESD212C-2016
5x 0.0 5 … 7 0、 10 … 14 、 40 … 56 、 320 … 448 480 … 672 2× 32ビット 16-Fach 1,35 v / 1,35 v 190ボールFBGA JESD232A-2016
6 0 3.5 … 4.5 0、 14 … 18 qdr-nrz 、 56 … 72 、 448 … 576 672 … 864 2×16ビット 16-Fach 1,35 v / 1,35 v 180ボールFBGA JESD250A-2017
6x 4.75 … 5.25 0 9.5 … 10.5 QDR-PAM-4 、 76 … 84 、 608 … 672 912 … 1008 2×16ビット 16-Fach 1,35 v / 1,35 v 180ボールFBGA これまでのところ、すべてはありません

これまでのところ、次のGDDRタイプが開発されています。

（g）ddr [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

GDDRは、GDR-SDRAM標準に従ってメモリモジュールに基づいています。この第1世代では、VDDとVDDQの電圧は2.5 Vです。166〜400 MHzのクロックレートと3、4、5のクロックサイクルの読み取りレイテンシーで、256ビット接続で25.6 GB/sの最大データスループットが達成されます。 GDDRは、2回の欠陥でGDR-SDRAMのように機能します。

GDDR2 [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

GDDR2は、GDDRのさらなる開発としての人気のない中間ステップでしたが、より高いクロック周波数が達成されましたが、GDDR2は高周波数での廃熱に問題がありました。 GeForce FX 5800 Ultraなどのいくつかのグラフィックカードでのみ、最大クロック周波数500 MHzでGDDR2を使用し、ほとんどのメーカーは最大400 MHz以下を使用しています。特徴は、2.5/1.8 VのVDD/VDDQ電圧、400 MHzから500 MHzのクロックレートで、5〜7クロックサイクルのラットを読み取りました。これにより、256ビット接続で32 GB/sの最大データスループットが達成されました。

GDDR3 [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

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グラフィックカードの2つのGDDR3メモリチップ（中央）

GDDR3はGDR2-SDRAMに基づいています。 （g）GDRと同様に、アクセス時間が少なく、読み取りレイテンシを変更することにより、高いストレージ時間に最適化されました。 GDDR3は、1.8 VのVDD/VDDQ電圧でDDR2-SDRAMのように機能します。クロックレートは700〜1300 MHzで、5〜9クロックサイクルのレイテンシーを読み取り、256ビット接続で83.2 gb/sの最大データスループットが可能です。 GDDR3は、4ファッションの欠陥を持つDDR2-SDRAMのように機能します。

GDDR3はATIによって設計されましたが、2004年3月にNVIDIA GeForce FX 5700 Ultraで初めて使用され、GeForce 6800 Ultraで使用されました。 ATI自体では、Radeon X800にメモリが初めてインストールされました。 GDDR3が使用される他の既知の製品は、Sony PlayStation 3（グラフィックカード用の256 MB）およびMicrosofts Xbox 360（512 MBがCPUとGPUが同時に使用しています）です。 [2] 。

GDDR4 [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

GDDR4は8サブジェクトの欠陥を使用しているため、GDR3様技術に基づいています。 [3] GDDR3を兼ねることにより、同じ中程度の内部クロックでより高い伝送速度が可能になります。その結果、供給電圧も低下させる可能性があります。 GDDR4シリーズの生産は、2006年7月5日にSamsungで開始されました。Hynixは、最大1.6 GHzのクロック周波数のGDDR4チップを提供しています。 [4] 256ビットストレージインターフェイスと組み合わせて、最大102.4 gb/sのメモリ帯域幅を実現できます。グラフィックカードでのGDDR4メモリの最初の使用は、1 GHzのストレージクロックで指定されたATIのRadeon X1950 XTXで行われました。 GDDR4メモリのさらなる使用がRadeon HD 3870によって実行されました。ただし、GDDR4は広いフロントで優先することはできませんでした。おそらくGDDR3が1 GHzのクロック周波数に達したためです。

GDDR5 [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

GDDR5チップは、最大8 GBITの512 MBITの容量で利用できます。 1.8〜4 GHzの時計周波数では、3.6の転送速度が結果です [5] Bis 8 gt/s。 [6] ×32チップを使用すると、256個のデータラインと8x GDDR5チップが115.2〜256 Gb/sのグラフィックプロセッサの場合、14.4〜32 Gb/sになります。 GDDR5を使用した最初のグラフィックカードはATI Radeon HD 4870で、512 MBYTE GDDR5メモリ（3.6 GT/sおよび115.2 GB）の最初のバージョンで。大規模なシリーズの生産は2008年上半期に始まりました。Qimondaは最初のGDDR5-SDRAMチップを大量に配信し、Hynixは最初のパターンを導入しました。 [7] [8] Samsungは、供給電圧が1.35 VであるGDDR5メモリを発表しました。 [9] Sonyは、PlayStation 4で176 GB/sの帯域幅で8 GB GDDR5を使用しています。 [十] サムスンは、8 GBIT GDDR5メモリチップの大量生産を発表した最初の会社でした。 [11]

GDDR5X [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

GDDR5Xは2015年に発表され、2016年5月27日にGEFORCE GTX 1080で導入されました。 10から（計画）14 gbit/sあたり14 gbit/sの転送速度の場合、320〜448 gb/sを256ビットインターフェイスを介して送信できます。

GDDR6 [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

GDDR6は、メモリメーカーMicronによって開発されています。ゴーレムのように [12番目] 2017年12月22日、Micronは開発を完了し、最初のテストパターンをハードウェアメーカーに分配しました。シリーズの制作は2018年から実行されています。 [13]

GDDR6メモリモジュールは、GDDR5（x）で190ピンの代わりに180ピンを使用します。また、GDDR5Xと同様に、1.35 Vの電圧で動作します。メモリ帯域幅は16 gbit/sでなければならず、テストパターンは14 gbit/sのみに達します。
SamsungとSK Hynixは、GDDR6モジュールでも動作します。 GDDR6を備えた最初の広範なグラフィックスカードは、2018年9月に公開されたNVIDIAのGeForce RTXカードです。

gddr6x [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

NRZ-PAM2-からNRZ-PAM4変調への変更。最初にNVIDIA RTX 3080および3090で使用します。 [14]

GDDR7 [ 編集 | ソーステキストを編集します ]

今後の世代に関する情報は、2022年10月に発表されました。この時点では、市場の打ち上げの予約はまだ言及されていません。 [15]

  1. ↑ 最速利用可能なGDR-RAM対速いグラフィックカードメモリ：2004：0.266対0.95 GHz; 2005：0.4対1.6 GHz; 2009：1.3対3.4 GHz; 2013：1.6対6 GHz; 2020：4.8対19 GHz
  2. ↑ 下の仕様 jedec.org （ 記念 2007年9月26日から インターネットアーカイブ ; pdf）
  3. ↑ 512MBIT GDDR4 SGRAM。 2m x 32ビットx 8銀行グラフィックダブルデータレート4単方方向のデータストロボとDLL（136Ball FBGA）。 リビジョン1.2（K4U52324QE）。 （PDF）Samsung、Mai 2007、 2022年11月5日にアクセス 。
  4. ↑ Hynixの512-MBIT-GDDR4-SDRAMのデータシート （ 記念 2015年9月24日から インターネットアーカイブ ; pdf）
  5. ↑ アントン・シロフ： GDDR5生産中、新しいラウンドのグラフィックカードは差し迫っています-Xビットラボ。 2015年4月2日、アーカイブ オリジナル 午前 2. 2015年4月 ; 2022年11月5日にアクセス 。 情報： アーカイブリンクは自動的に使用されており、まだチェックされていません。指示に従ってオリジナルとアーカイブのリンクを確認してから、このメモを削除してください。 @初め @2 テンプレート：webachiv/iabot/www.xbitlabs.com
  6. ↑ ハッサン・ムジュタバ： SK Hynix Readies 8 GHz GDDR5 4 GBメモリスティックGPU用 – HBMを備えた積み上げデザインも出荷します。 の： wccftech。 17. 2014年11月、 2022年11月5日にアクセス 。
  7. ↑ Christof Windeck： Hynix：2008年半ばのグラフィックチップのGDDR5メモリ。 オンラインでheise、 2008年2月8日にアクセス 。
  8. ↑ 仕様： Qimenda GDDR5 – ホワイトペーパー。 （PDF）Qimonda、2007年8月、 2022年11月5日にアクセス 。
  9. ↑ Jan-Frederik Timm： サムスンから50 nmのGDDR5。 の： コンピュータベース。 2009年2月13日、 2022年11月5日にアクセス 。
  10. ↑ Sony Computer Entertainment Inc.は、PlayStation®4を紹介しています。 （ 記念 2013年2月21日から インターネットアーカイブ ; PDF; 386 KB）scei.co.jp、2013年2月20日（英語）2013年2月21日にアクセス。
  11. ↑ サムスン： Samsung Electronicsは、大量生産業界の最初の8ギガビットグラフィックスドラム（GDDR5）を開始します。 2015年1月15日、 2015年2月9日にアクセス （英語）。
  12. ↑ マーク・ソーター： グラフィックカード用のMicrons GDDR6の準備ができました。 の： ゴーレム。 2017年12月22日、 2018年1月29日にアクセス 。
  13. ↑ マーク・ソーター： GDDR6のシリーズ生産は、パートナーと調整されています。 の： Golem.de。 29. 2018年9月、 2019年2月4日にアクセス 。
  14. ↑ ライアン・スミス： GDDR6Xでのミクロン流出：PAM4シグナル伝達が高速で、NVIDIAのRTX 3090に登場します。 20. 2020年8月、 2022年11月5日にアクセス 。
  15. ↑ heise.de：「次世代グラフィックスカード：アクセラレータのGDDR7-RAMプレス」 2022年10月7日、2022年11月12日アクセス

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